古門聡士教授（工学領域・電子物質科学系列）らが日本物理学会第25回論文賞を受賞しました

古門聡士教授（工学領域・電子物質科学系列）らが一般社団法人日本物理学会より日本物理学会第25回論文賞を受賞しました。

論文題目：

「Anisotropic Magnetoresistance Effects in Fe, Co, Ni, Fe4N, and Half-Metallic Ferromagnet: A Systematic Analysis」

著者：Satoshi Kokado, Masakiyo Tsunoda, Kikuo Harigaya, and Akimasa Sakuma

掲載誌：J. Phys. Soc. Jpn. 81, 024705 (2012)

論文URL：https://journals.jps.jp/doi/10.1143/JPSJ.81.024705

授賞理由
　異方性磁気抵抗(AMR)効果は、数ある磁気抵抗効果において最も古くから研究され、近年でもスピントロニクス分野の基礎的現象として盛んに研究されている。本論文は、強磁性遷移金属物質を対象とし、伝導帯から局在d状態へのs-d散乱過程に依存するAMR効果を理論的に研究したものである。従来研究では一部の寄与のみが考慮されていたs-d散乱過程を、本論文ではフルに取り入れ、AMR比の最も一般的な公式を導出した。本論文によると、AMR比はスピン軌道相互作用と交換相互作用によって、フェルミ準位における局在d電子↑、↓スピンの状態密度差と、伝導s電子↑、↓スピンの電気伝導率差の積に比例する。これにより、AMR比の符号とAMR効果に寄与する主要なs-d散乱過程の関係が明らかとなり、(強い)強磁性、弱強磁性、ハーフメタルといった幅広いタイプの磁性材料に適用可能な極めて「実用性の高い」理論関係式が完成した。最も重要な例として、ハーフメタルではAMR比が負になることを利用して、ハーフメタルの実験的探索におけるスクリーニングが可能になった。また第一原理計算等の後続理論研究の起点としても、多数の引用がある。以上より、本論文は独創的なアイデアに基づ いた理論的研究により、強磁性体における電気伝導性の物理的理解に重要な貢献をしたと認められ、日本物理学会論文賞に値する。（日本物理学会 第25回（2020年）論文賞授賞論文Webサイトより）

日本物理学会 第25回（2020年）論文賞授賞論文Webサイト：
https://www.jps.or.jp/activities/awards/ronbunsyo/ronbun25-2020.php

古門 聡士研究室 HP：
https://wwp.shizuoka.ac.jp/kokado/