静岡大学電子工学研究所 寺西 信一 特任教授が「日本放送協会放送文化賞」を受賞 イメージセンサの高性能化を行い、放送文化に寄与

2023/03/02
プレスリリース

静岡大学電子工学研究所 寺西 信一 特任教授が、日本放送協会(NHK)が主催する第74回「日本放送協会放送文化賞」を受賞しました。

NHKでは、放送開始25周年にあたる1949年度に「日本放送歌謡界放送文化賞」を設け、放送事業の発展に寄与し、放送文化の向上に貢献があった方々に、毎年この賞を贈呈しています。
これまでに、本学関係者では、日本のテレビの父と言われる高柳健次郎氏や、特に戦国史を専門とする歴史学者の小和田哲男名誉教授が受賞しています。

受賞理由は、いわゆる”電子の目”としてレンズに入った光を電気信号に変換するイメージセンサの研究開発に長年取り組み、埋め込みフォトダイオード技術という新たな構造の発明で、飛躍的な画質の向上と高感度化を実現。放送用カメラの小型・高性能化に寄与し、番組の製作スタイルに大きな変革をもたらすとともに、迅速かつ明瞭な緊急報道を可能にしました。
また、テレビ放送の高精細化にも寄与するなど、放送技術の発展に貢献しています。

授与式は、放送記念日の行事としてNHKホールにて、2023年3月17日に行われる予定です。

【研究概要】

寺西信一氏は固体撮像素子(CCDイメージセンサとCMOSイメージセンサ)の研究開発を44年以上にわたり行い、国際的に最も影響力のある技術的リーダーである。固体イメージセンサの高性能化と実用化に携わり、その中でも、1)埋め込みフォトダイオードの発明により、残像を除去し、暗電流・白傷の低減、低ノイズ化を実現した、2)高輝度被写体を撮像したときに発生するブルーミングやスミアを抑制するための垂直オーバーフロードレイン(VOD構造)や遮光構造の発明・提案などイメージセンサの基本特性の向上に貢献した、3)画素の微細化を推進し、メガピクセル時代を拓き、HDTVやデジカメ、携帯電話カメラの普及に貢献した、等である。とりわけ、埋め込みフォトダイオードは、CCDイメージセンサと携帯電話用カメラに広く用いられているCMOSイメージセンサの両方で必須なものであり、固体撮像素子でもっとも重要な技術とみなされており、その発明者として世界的に知られているところである。
本技術は、2020年に世界で生産された固体撮像素子70億個のほぼすべて(99.99%以上)で使用され、必須の技術となっている。
今後の発展として、CMOSイメージセンサは携帯電話用カメラだけでなく、距離計測などの車載用・産業用、細胞観察などの医療用へ展開が期待されている。


【受賞者の略歴】

  寺西 信一(てらにし のぶかず)

寺西 信一(てらにし のぶかず)

■ 研究内容 
・固体撮像素子(CCDイメージセンサおよびCMOSイメージセンサ)の研究開発

■ 学歴
・昭和53年3月 東京大学理学系大学院物理学専攻修士課程修了

■ 職歴
・昭和53年4月 日本電気株式会社 イメージセンサとカメラの開発に従事
・平成12年4月 同社退社
・平成12年4月 松下電器産業株式会社(現パナソニック株式会社)入社 イメージセンサの開発、マーケティングに従事
・平成25年5月 同社定年退職
・平成25年6月 国立大学法人静岡大学電子工学研究所特任教授(現在に至る)
        イメージセンサの研究開発に従事
        公立大学法人兵庫県立大学産業科学技術研究所特任教授
(令和4年3月退職)
X線用のイメージセンサの開発に従事

■ 主な受賞歴
・平成5年|全国発明表彰経済団体連合会会長発明賞「埋め込み型フォトダイオード」
・平成9年|科学技術庁長官賞研究功績者「高感度低雑音CCDイメージセンサの研究」
・平成12年|映像情報メディア学会丹羽高柳賞業績賞「CCDイメージセンサの研究開発と実用化」
・平成15年|映像情報メディア学会フェロー「高性能CCDイメージセンサの研究開発および実用化に関する貢献」
・平成22年|IEEE Fellow 「CCDイメージセンサ開発の功績」
・平成22年|英国王立写真協会進歩賞および名誉フェロー「埋込フォトダイオードを始めとするイメージセンサの先駆的開発」
・平成23年|米国写真協会進歩賞「埋込フォトダイオードの発明」
・平成25年|映像情報メディア学会丹羽高柳賞功績賞「固体撮像素子の飛躍的高性能化と国際競争力確立への貢献」
・平成25年|山崎貞一賞「埋め込みフォトダイオードを用いたイメージセンサの開発」
・平成25年|IEEE EDS J. J. Ebers Award「埋込フォトダイオード(Pinned photodiode)開発の功績」
・平成29年|Queen Elizabeth Prize for Engineering 「Digital imaging sensor」
・平成30年|紫綬褒章 「発明改良」
・令和5年4月予定|技術・工学エミー賞🄬 (Technology and Engineering Emmy Award🄬)「ほとんどのイメージセンサで利用されている埋込フォトダイオード(Pinned Photodiode)技術の発明と開発」

申込み方法・問い合わせ先:

(研究概要に関する問合せ)
静岡大学電子工学研究所
ナノビジョン研究部門 イメージングデバイス分野
TEL:053-478-3250

(その他広報に関する問合せ)
静岡大学総務部広報・基金課
TEL:054-238-5179

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